IT Xperts Inscrie-te in PayPal si accepta carti de credit instant!
Home arrow Stiri IT arrow Hardware arrow

Intel dezvaluie noile concepte de procesoare

joi, 09 februarie 2012
 
 
Meniu
Home
Stiri IT
Optimizare Google
IT Forum
Informatii de contact
Tarife publicitate
Formular Login





Parola uitata?
Utilizator nou? Creare cont
Ultimii Virusi
Cine este Online
Avem 20 vizitatori online
Inscrie-te in PayPal si accepta carti de credit instant!

Intel dezvaluie noile concepte de procesoare

Pdf Arrow Transforma acest articol in PDF
Scris de Cristian Ciofu   
duminicã, 24 aprilie 2005
In plin desert african, intr-un decor al dunelor marocane din Mezouga, Intel a decis sa prezinte presei franceze strategiile pe care le va aborda in viitorul apropiat pentru dezvoltarea si impunerea pe piata a procesoarelor. Dupa lansarea la inceputul acestei saptamani a procesoarelor dual-core si dupa lungile dezbateri pe tema legii lui Moore care sta in picioare de 40 de ani, compania a inceput sa discute despre o noua perspectiva a tehnologiilor legate de procesul de fabricare. Dupa o scurta revenire in timp prin evocarea primului procesor laser de siliciu, Intel a tinut sa sublinieze avantajele pe care le are pentru producerea solutiilor avansate de procesare. Asftel, prin cele 5 fabrici de care dispune in intreaga lume si prin posibilitatea de producere a waferelor de 300 mm, Intel isi propune sa impinga in curand procesul de fabricatie catre o noua etapa pentru procesoare: astfel, unul dintre principalele puncte pe care Intel le are in vizor sunt integrarea tehnologiei High-K si trecerea din anul 2007 a procesul de fabricatie la o solutie de gravare de 45 nanometri. Aici va interveni un izolator de grila al carui scop va fi sa impiedica scurgerile de electroni. In paralel, Intel va incepe sa utilizeze electrozi metalici, iar incepand cu anul 2007 si pana in 2009, producatorul estimeaza ca va schimba structura tranzistorilor prin inaugurarea solutiilor denumite Tri-Gate. Datorita unei dispuneri originale non-planare a tranzistorilor, Intel mizeaza ca va optimiza proprietatile acestora, urmarind simplificarea si accelerarea electronilor evitand in acelasi timp problemele specifice scurgerii de electroni.

Daca in mod normal, electronii circula in plan orizontal, prin noile solutii acestia vor avea trasee verticale si orizontale. Legaturile dintre celulele procesoarelor Tri-Gate se vor face prin legaturi nanomoleculare, iar odata cu aparitia tranzistorilor de tip nanotub, diametrul fiecaruia va scadea pana sub limita de 2 nanometri.

O alta solutie pe care Intel o are in plan, este trecerea progresiva catre tehnologia EUV sau Extreme Ultraviolet Lithography, solutie care va permite gravarea procesoarelor la 32 de nanometri si care are toate sansele sa fie disponibila in anul 2009.



preluat Softpedia NEWS

Comentarii

Doar utilizatorii inregistrati pot scrie comentarii.
Va rugam autentificati-va sau creeati-va un cont.


< Precedent   Urmator >
Flux Rss
Flux Rss
Resurse
  • Articole Blooms
  • Planuri de calatorie
  • Calculatoare
  • Friedmans
  • Afaceri
  • Magazin Online
  • Football News
  • Telefoane Mobile
  • Declaratia 394
  • www.rightmove.co.uk
  • H Samuel Jewellers
  • www.netspend.com
  • www.fhm.com
  • Easy Thing Lyrics
  • H Samuel
  • Cosmetice
  • Carti IT
    Chestionare
    Newsletter IT zilnic, pe mail
     
     
      Agentia Rompres Ministerul Comunicatiilor si Tehnologiei Informatiei Agentia MediaFax Agora Media Comunicatedepresa.ro